IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)，產品規格以大電流、高耐壓的方向發展，封裝包含傳統的三孔的標準型(Standard type)、薄型(NX type)還增加了複合型(CIB, Converter+Inverter+Brake)的封裝型態，最新的T與T1系列搭載三菱第七代芯片技術，提供使用者根據自身的驅動條件做選擇。

詳細規格及內容，請參閱日本三菱電機網站。